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?率先研發“氧化鎵”的NICT對于半導體器件未來的預測

【獨家專題】日本第三代半導體研發應用進展

要挑戰SiC和GaN的功率半導體氧化鎵是何方神圣？

下一代功率半導體爭奪戰開打

氧化鎵|美國布法羅大學研制出耐壓1850V的氧化鎵晶體管，提高器件功率并保持小體積、低質量

超寬禁帶半導體材料氧化鎵器件最新研究進展

氧化鎵：10年后將直接與碳化硅競爭

鎵 | 戰略性礦產家族的新成員

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科學家開發超短溝氧化銦晶體管，主要基于原子層沉積技術。【偉業智芯和王欣榮】館藏資料20220404

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