包含三菱電機培訓(xùn)課程、論文合集，主要介紹元器件基礎(chǔ)知識及電源領(lǐng)域的原理及應(yīng)用。
三菱電機培訓(xùn)課程：
第1講：功率半導(dǎo)體器件的基本功能和用途
第2講：功率半導(dǎo)體器件的基本分類和應(yīng)用
第3講：半導(dǎo)體-導(dǎo)體-絕緣體
第4講：半導(dǎo)體材料的禁帶寬度
第5講：半導(dǎo)體中的晶體結(jié)構(gòu)
第6講：半導(dǎo)體中的電子與空穴
第7講：從本征半導(dǎo)體到雜質(zhì)半導(dǎo)體
第8講：半導(dǎo)體中的載流子運動
第9講：PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)及形成方法
第10講：平衡條件下的PN結(jié)
第11講：偏置條件下的PN結(jié)
第12講：PN結(jié)的擊穿與穿通
第13講：PN結(jié)的電容效應(yīng)
第14講：PN結(jié)器件的電路特性
第15講：PIN二極管基本結(jié)構(gòu)和正偏置行為
第16講：PIN二極管的恢復(fù)特性.
第17講：雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)
第18講：雙極晶體管的工作原理
第19講：晶閘管的基本結(jié)構(gòu)
第20講：晶閘管的基本工作原理
第21講：GTO的基本結(jié)構(gòu)和基本工作原理
第22講：談?wù)勑ぬ鼗鶆輭荆⊿chottky Barrier）
第23講：肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
第24講：結(jié)型場效應(yīng)晶體管
第25講：結(jié)型場效應(yīng)晶體管的基本工作原理
第26講：MOS結(jié)構(gòu)
第27講：MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
第28講：功率MOSFET
第29講：IGBT的基本結(jié)構(gòu)
第30講：IGBT的基本開關(guān)原理
第31講：HVIGBT的概述
三菱電機【論文】：
針對廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的 SiC 功率模塊
針對大功率應(yīng)用的高性能第2代 1700V4H-SiCMOSFET
優(yōu)化元胞設(shè)計和采用再氧化工藝的高性能 4H-SiC MOSFETs
一種可提供系統(tǒng)最佳整體性能的先進(jìn)硅基 IGBT 芯片
新一代大功率 IGBT 模塊
通過門極驅(qū)動器電壓敏感參數(shù)實現(xiàn)功率模塊通態(tài)電壓的估計
提高中壓變頻器魯棒性和可靠性的 X 系列 RFC 二極管
利用零溫度系數(shù)導(dǎo)通電壓對導(dǎo)線鍵合 IGBT 功率模塊在線狀況監(jiān)測
集成 SiC SBD 的 6.5kV 全 SiC MOSFET 功率模塊
集成 RC-IGBT、自舉二極管及限流電阻的全新壓注模表面貼裝型IPM
高壓 IGBT 模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型研究
高壓 IGBT 模塊抗潮濕和凝露的魯棒性設(shè)計
SLIMDIP 系列智能功率模塊在變頻洗衣機應(yīng)用介紹
SiCMOSFETSPICE 模型的對比研究
LV100 封裝 HVIGBT 在并聯(lián)應(yīng)用中的表現(xiàn)
超小只的 GaN 功率放大器在 5G 基站
新型器件嵌入式集成技術(shù)
三菱電機 SiCMOSFET 仿真技術(shù)
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