如果您是我們的老朋友，相信已經對硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技術有一定的了解。如果不清楚可以查看我們公眾號艾邦半導體里的視頻及文章。
在先進封裝領域中，無論是2.5D封裝中的interposer 還是3D封裝中都要用到TSV，但是很多人可能還是第一次聽說玻璃通孔(Through Glass Via,TGV)這個詞。玻璃通孔(TGV)潛能巨大，未來可能將是先進封裝技術中的常客。本文將簡要描述玻璃通孔(TGV)在先進封裝的應用及發展趨勢。在閱讀本文之前，歡迎識別二維碼申請加入半導體封裝產業鏈微信群
根據專家Semicon Solutions的觀點，玻璃通孔(TGV)技術在學術界已經研究了十多年，近年來技術日趨完善。各家頭部公司開始布局，并生產出一些樣品應用于不同的領域包括：顯示面板，醫療器械，半導體先進封裝等。
今天我們主要談談TGV在半導體先進封裝領域的應用。玻璃通孔(TGV)和硅通孔（TSV）工藝相比TGV的優勢主要體現在：
1）優良的高頻電學特性。玻璃材料是一種絕緣體材料，介電常數只有硅材料的1/3左右，損耗因子比硅材料低2-3個數量級，使得襯底損耗和寄生效應大大減小，保證了傳輸信號的完整性；
2）大尺寸超薄玻璃襯底易于獲取。Corning、Asahi以及SCHOTT等玻璃廠商可以提供超大尺寸（>2m × 2m）和超薄（<50μm）的面板玻璃以及超薄柔性玻璃材料。
3）低成本。受益于大尺寸超薄面板玻璃易于獲取，以及不需要沉積絕緣層，玻璃轉接板的制作成本大約只有硅基轉接板的1/8；
4）工藝流程簡單。不需要在襯底表面及TGV內壁沉積絕緣層，且超薄轉接板中不需要減薄；
5）機械穩定性強。即便當轉接板厚度小于100μm時，翹曲依然較小；
6）應用領域廣泛，是一種應用于晶圓級封裝領域的新興縱向互連技術，為實現芯片-芯片之間距離最短、間距最小的互聯提供了一種新型技術途徑，具有優良的電學、熱學、力學性能，在射頻芯片、高端MEMS傳感器、高密度系統集成等領域具有獨特優勢，是下一代5G、6G高頻芯片3D封裝的首選之一。
TGV 的成形工藝主要包括噴砂、超聲波鉆孔、濕法刻蝕、深反應離子刻蝕、光敏刻蝕、激光刻蝕、激光誘導深度刻蝕以及聚焦放電成孔等。近兩年，國內廈門云天成功開發了先進 TGV激光刻蝕技術，實現了深寬比為 10:1 的玻璃通孔量產。
近期研發結果顯示，該技術可以制備深寬比為 20:1 的通孔和 5:1 的盲孔，且具備較好的形貌。激光誘導深度刻蝕形成表面粗糙度小，是當前研究較多的方法。如圖1，普通激光鉆孔周圍有明顯裂紋，而激光誘導深度刻蝕周圍及側壁整潔光滑。
圖1普通激光鉆孔工藝與激光誘導深度刻蝕工藝對比
TGV interposer的加工流程如圖2，整體方案為先玻璃基板上進行打孔，然后在側壁及表面沉積阻擋層和種子層。阻擋層防止Cu向玻璃襯底擴散，同時增加兩者的粘附性，當然在一些研究中也發現阻擋層不是必須的。然后采用電鍍的方法將Cu沉積，接著退火，并采用CMP的方法將表面Cu 層去掉。最后采用PVD鍍膜光刻方法制備RDL重布線層，去膠后最終再形成鈍化層。
圖2，(a) 準備晶圓，(b)形成TGV，（c）雙面電鍍-沉積銅，（d）退火及CMP化學機械拋光，去表面銅層，（e）PVD鍍膜及光刻，（f）布置RDL重布線層，（g）去膠及Cu/Ti 刻蝕，（h）形成鈍化層
我國研究院及各家公司在今年也都有爆發式進展。比如2022年年初，中科院合肥研究院智能所陳池來課題組李山博士等取得重要技術突破，團隊攻克了高均一性玻璃微孔陣列制造、玻璃致密回流、玻璃微孔金屬高致密填充等技術難題。我國的沃格光電旗下湖北通格微電路科技有限公司也在今年首次亮相并展出其TGV技術及相關玻璃基封裝載板應用。
制造設備方面，大族激光發布了TGV制備設備，帝爾激光也在今年交付了首臺TGV制備設備。
我們來看看國內外的TGV樣品：圖3為鈦昇科技公司擁有專利技術的TGV解決方案，通過混合激光鉆孔和濕蝕刻工藝形成的TGV，可以達到無與倫比的性能。優點包括高數據吞吐量、高縱橫比、側壁無缺陷和高密度。圖4 為德國肖特AF 32?eco glass 上的TGV通孔。圖5為藍特光學的TGV樣品，其最小通孔直徑可以做到20微米涵蓋4寸，6寸，8寸和12寸晶圓。圖6為Menlo Micro聯手康寧打造的晶圓級鍵合TGV 8英寸RF MEMS晶圓。
圖3 鈦昇科技生產的TGV樣品
圖4 德國肖特AF 32?eco glass 上的TGV通孔
圖5 藍特光學的TGV樣品
圖6 Menlo Micro聯手康寧打造的晶圓級鍵合TGV 8英寸RF MEMS晶圓
綜上所述，玻璃通孔（TGV）應用前景廣闊，而當前國內市場處于起勢階段，從設備到產品設計及研發等增速高于全球平均水平。
作者：Semicon Solutions & 樹先生
