微波爐成2nm芯片制造工藝的關鍵？隨著芯片尺寸變得越來越小，要想保證其充足的電流，硅基材必須摻雜或混合更高濃度的磷。但半導體制造商正面臨著一個臨界極限，用傳統方法來加熱高摻雜材料已經無法生產出性能穩定的半導體。而一臺由科學家改裝的家用微波爐，正在幫助制造下一代手機、電腦和其他電子產品，相關研究結果已經發表在科學期刊《應用物理學快報》。
臺灣的半導體制造商臺積電（TSMC）認為，微波在理論上可以用來激活過量的摻雜劑。但之前的微波退火裝置往往會產生“駐波”（standing waves），從而阻止摻雜劑的一致激活。對此臺積電與科學家合作，通過一個改進的微波爐選擇性地控制駐波發生的位置，從而可以在不過度加熱或損壞硅晶體的前提下，恰到好處地激活摻雜劑。
該科學家表示，這一發現可以用于制造 2025 年前后生產的半導體材料和電子產品，這種新的微波方法有可能使臺積電（TSMC）和三星（Samsung）等芯片制造商將尺寸縮小到 2 納米?！?/p>
據介紹，這一突破可能會改變芯片中使用的晶體管的幾何形狀，20 多年來，為了保證每個芯片上能裝載更多的晶體管，晶體管被制作成像背鰭一樣直立。近年來，芯片制造商開始試驗一種新的結構讓晶體管可以呈水平堆疊狀，從而進一步增加數量，而微波退火使更多摻雜的材料成為可能，這是實現新結構的關鍵。
來源：中關村在線
